原子層沉積系統(tǒng)是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。 原子層沉積系統(tǒng)特點：是一款獨立的PC計算機控制的ALD，帶Labview軟件，具備四級密碼控制的用戶授權(quán)保護功能。系統(tǒng)為全自動的安全互鎖設(shè)計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。應(yīng)用領(lǐng)域包含半導(dǎo)體、光伏、MEMS等。系統(tǒng)提供12”的鋁質(zhì)反應(yīng)腔體，帶有加熱腔壁和氣動升降頂蓋，非常方便腔體的訪問和清潔。該系統(tǒng)擁有一個載氣艙包含多達7個50ml的加熱汽缸，用于前驅(qū)體以及反應(yīng)物，同時帶有N2或者Ar作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。
選配：系統(tǒng)的選配項包含自動L/UL上下載(用于6”基片)，ICP離子源(用于等離子增強的PEALD)，臭氧發(fā)生器，等等。
應(yīng)用：
Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etc
Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應(yīng)用.
Nano laminates納米復(fù)合材料
隨著原子層沉積技術(shù)與其他先進技術(shù)不斷融合以及人們對原子層沉積設(shè)備的不斷改進，諸如“等離子體增強原子層沉積技術(shù)”、“空間式原子層沉積技術(shù)”、“流化床原子層沉積技術(shù)”等新型原子層沉積技術(shù)逐漸出現(xiàn)并在一定程度上有效解決了傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)所面臨的諸多難題。
在過去二十多年，等離子體增強原子層沉積技術(shù)發(fā)展迅速。通過巧妙設(shè)計等離子體引入方式，人們已經(jīng)設(shè)計出各種等離子體增強原子層沉積設(shè)備。
從文獻報道來看，針對太陽能光伏領(lǐng)域的應(yīng)用，一套成熟的空間式原子層沉積設(shè)備需保證每小時超過3000片156×156mm2規(guī)格Si片的生產(chǎn)能力。由于空間式原子層沉積設(shè)備中沉積速率不再受限于單個循環(huán)步驟的累計時間，僅取決于襯底或前驅(qū)體噴嘴在兩個半反應(yīng)區(qū)間移動所需的時間，而薄膜厚度也僅取決于噴頭上所集成的沉積單元數(shù)量，若能保證1s通過一個這樣規(guī)格的Si片，目前的設(shè)計*可以滿足工業(yè)化應(yīng)用需求。此外，針對柔性襯底表面沉積時，采用轉(zhuǎn)動式的反應(yīng)器設(shè)計，同樣能將沉積速率提升至1.2nm/s。
原子層沉積技術(shù)經(jīng)過四十多年的發(fā)展，無論是在沉積材料的種類還是具體沉積方法的擴展與改進上，都已經(jīng)取得了長足進步，在眾多領(lǐng)域更是展現(xiàn)出令人期待的商業(yè)前景。但傳統(tǒng)的熱原子層沉積技術(shù)在發(fā)展過程中仍面臨著一些挑戰(zhàn)。
